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功率半导体器件电场优化技术 PDF

功率半导体器件电场优化技术











【作 者】张波;罗小蓉;李肇基著

【形态项】 454

【出版项】 成都:电子科技大学出版社 , 2015.12

【ISBN号】7-5647-3262-8

【中图法分类号】TN303

【原书定价】68.00

【主题词】功率半导体器件-电场-信息技术

【参考文献格式】 张波;罗小蓉;李肇基著. 功率半导体器件电场优化技术. 成都:电子科技大学出版社, 2015.12.

内容提要:

本书分为七章,第一章为前言;第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术;第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造;第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术,并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高压器件新结构和耐压机理:电荷型SOI高压器件,低K型SOI高压器件,薄硅层SOI高压器件;推导获得新型SOI器件的耐压模型;给出研制步骤并分析实验结果。第五章详细介绍硅基高压器件体内场降低技术,并讨论系列新型REBULF高压器件的机理和设计方法,给出研制方法和实验结果。第六章阐述功率半导体器件发展。第七章结束语。

















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