超大规模集成电路先进光刻理论与应用
【作 者】韦亚一著
【形态项】 578
【出版项】 北京：科学出版社 , 2016.06
【ISBN号】978-7-03-048268-6
【中图法分类号】TN305.7
【原书定价】260.00
【主题词】超大规模集电路-光刻系统-研究
【参考文献格式】 韦亚一著. 超大规模集成电路先进光刻理论与应用. 北京：科学出版社, 2016.06.
内容提要:
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用的主流设备进行剖析，介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分，介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法，以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序，系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源-掩模版共优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点，本书有一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻精度的方法。另外，本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责，以及如何协调各方资源保证研发进度。